Công nghệ HALF CELL LARGE IEC Giảm cường độ dòng điện chạy trên các busbar giúp tối thiểu tiêu hao, tối đa hiệu suất.. - Busbar là các vệt kim loại sáng bóng trên bề mặt tấm pin, có chức năng chuyền tải điện. Bản thân busbar có điện chở nên khi dòng điện chạy trên các busbar sẽ có tổn hao. - Việc tăng gấp đôi số lượng cell pin làm cho dòng điện chạy qua các busbar giảm đi một nửa. Theo công thức tính tổn hao: P= (I^2)*R khi cường độ dòng điện I giảm một nửa, sẽ giảm hao tổn đi 4 lần. - Giảm ảnh hưởng của mỗi cell lên toàn bộ tấm pin. Lợi nhuận cao Công nghệ này làm tăng tỷ lệ hiệu suất, loại bỏ cá

Công nghệ HALF CELL LARGE IEC Giảm cường độ dòng điện chạy trên các busbar giúp tối thiểu tiêu hao, tối đa hiệu suất.. - Busbar là các vệt kim loại sáng bóng trên bề mặt tấm pin, có chức năng chuyền tải điện. Bản thân busbar có điện chở nên khi dòng điện chạy trên các busbar sẽ có tổn hao. - Việc tăng gấp đôi số lượng cell pin làm cho dòng điện chạy qua các busbar giảm đi một nửa. Theo công thức tính tổn hao: P= (I^2)*R khi cường độ dòng điện I giảm một nửa, sẽ giảm hao tổn đi 4 lần. - Giảm ảnh hưởng của mỗi cell lên toàn bộ tấm pin. Lợi nhuận cao Công nghệ này làm tăng tỷ lệ hiệu suất, loại bỏ cá